Intel dự kiến sản xuất chip chứa 1.000 tỷ bóng bán dẫn

Dựa trên công nghệ đóng gói mới có tên RibbonFET, Intel dự kiến sản xuất chip chứa 1.000 tỷ bóng bán dẫn vào năm 2030.

Theo Gelsinger, Intel đang chuyển sang khái niệm mới gọi là "Định luật Super Moore", hay Định luật Moore 2.0.

Trong đó, công nghệ đóng gói chip 2,5D và 3D sẽ giúp tăng bóng bán dẫn mà không khiến kích thước chip trở nên quá lớn. Số bóng bán dẫn trên chip là yếu tố đặc biệt quan trọng.

Dựa trên công nghệ đóng gói mới có tên RibbonFET, công ty sẽ tạo ra chip chứa 1.000 tỷ bóng bán dẫn vào năm 2030.

RibbonFET là kiến trúc với các bóng bán dẫn bao phủ nhiều phía, giảm rò rỉ dòng điện truyền đi giữa các thành phần.

Công nghệ này tương tự Gate-All-Around mà Samsung Foundy sử dụng trên tiến trình sản xuất chip 3 nm của hãng.

Công nghệ PowerVIA là yếu tố thứ hai sẽ có trên chip nghìn tỷ bóng bán dẫn của Intel năm 2030.

Với kỹ thuật này, các đường cấp nguồn được đặt ở mặt sau chip thay vì ở mặt trước để cải thiện sức mạnh và hiệu suất. Hãng cũng tạo các nút quy trình mới giúp giảm kích thước bóng bán dẫn.

Cuối cùng là quy trình đóng gói chip 3D, với 16 lớp mạch tích hợp được xếp chồng để tạo thành một con chip duy nhất.

Intel hiện đi sau các xưởng đúc chip khác như TSMC hay Samsung Foundy. Cả hai đã sản xuất chip 3 nm, trong khi Intel đang ở tiến trình 5 nm.

Tuy nhiên, bộ ba cũng đang chạy đua sản xuất chip 2 nm năm 2025. Đến 2032, ba hãng dự kiến sản xuất được chip 1 nm.